快科技2月27日新闻，据外洋媒体最新新闻称，三星将在往年下半年，开端应用中国存储专利技巧出产响应的芯片。近期，三星电子已与中国存储芯片厂商长江存储签订了开辟重叠400多层NAND Flash所需的“混杂键合”技巧的专利允许协定。依照新闻人士的说法，三星打算于2025年下半年量产下一代V10 NAND，将应用长江存储的专利技巧，特殊是在“混杂键合”技巧方面。三星之以是抉择向长江存储获取“混杂健合”专利受权，重要因为现在长江存储在“混杂键合”技巧方面处于寰球当先位置。而且三星经由评价以为，从下一代V10 NAND开端，其曾经无奈再防止长江存储专利的影响。对中国存储行业来说，这确切是奋发民气的新闻，究竟各人从落伍始终到赶超，这也从正面反应了中国科技自立翻新的结果。【本文停止】如需转载请务必注明出处：快科技义务编纂：雪花